2nm以降の高性能ロジック半導体向けトランジスタ材料、産総研などが開発
2023年02月14日16時45分 / 提供：マイナビニュース
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産業技術総合研究所(産総研)と東京都立大学(都立大)は2月10日、「三テルル化二アンチモン(Sb2Te3)」/「二硫化モリブデン(MoS2)」のファンデルワールス界面の作製に成功し、「n型MoS2トランジスタ」の性能向上に貢献する接触界面抵抗の低減(低コンタクト抵抗)技術を開発したことを発表した。
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