室温で薄膜トランジスタを作製する新技術　10月23日にJST新技術説明会でオンライン公開

工学院大学(学長：今村 保忠、所在地：東京都新宿区／八王子市)の相川 慎也教授(電気電子工学科)は、紫外線を利用した薄膜トランジスタの製造プロセスに関する研究を進めています。このたび、安定性に優れたアモルファスIn2O3系薄膜トランジスタを、熱処理を行わず室温で作製できる新技術を開発しました。照射環境と紫外線波長を工夫することで、基板の加熱を抑制し、耐熱性の低いプラスチック基板にも適用可能です。10月23日にオンライン開催されるJST新技術説明会(主催：国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST)、工学院大学)において最新研究成果を企業に向けて紹介し、社会での技術活用を進めます。

画像1: https://www.atpress.ne.jp/releases/551136/LL_img_551136_1.png
紫外線照射を利用した薄膜トランジスタの室温作製プロセス模式図(左)とUV照射前後の電気特性比較(右)