先端半導体デバイスの故障箇所を非破壊でマイクロメートル単位の位置精度で特定　半導体故障解析装置PHEMOS-Xシリーズ用発熱解析計測モジュールを開発　5月12日より受注開始

半導体故障解析装置 PHEMOS-Xシリーズは、半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障箇所を特定する高解像度エミッション顕微鏡です。
このたび、当社は保有するレーザ・光センサ・計測・画像処理・解析技術を応用し、PHEMOS-Xシリーズ用の新しい検出手法となるTD Imaging（ThermoDynamic Imaging）の開発に成功しました。このTD ImagingをPHEMOS-Xシリーズに搭載することで、生成AI用半導体などの、3次元構造化や微細化が進む先端半導体デバイスの故障箇所を高感度、高解像度で特定し、故障解析の成功確率を格段に向上することが可能となります。
5月12日（月）から国内外の半導体デバイスメーカーに向けて受注を開始します。