r-GeO2半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認～複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ～

Patentix 株式会社(以下「当社」)では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）の成膜時にアクセプタ不純物のドーピングを行うことで、正孔が優勢な電気伝導が生じていることを示唆する結果が得られました。現時点ではp型伝導の完全な立証には至っていないものの、重要な技術的進展が確認されたことから、今後は電気特性評価を中心に複数の手法で極性評価を実施することで、r-GeO2でのp型伝導を立証することを目指します。

【背景】
ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）と比べてさらに大きい、超ワイドバンドギャップ（4.68eV）を有する次世代のパワー半導体材料の候補です。さらに、他のウルトラワイドバンドギャップ半導体候補では困難な、不純物ドーピングによるp型とn型の両方を実現可能であると理論的に予測されたことから近年大きな注目を集めてきました。