GaN HEMTデバイス性能: オックスフォード・インストゥルメンツとITRIがGaN HEMTデバイス性能の革新的開発を発表

本プレスリリースは、イギリス時間9月22日に発表した『GaN HEMT device performance: Oxford Instruments and ITRI announce breakthrough development in GaN HEMT device performance』の抄訳です。Oxford Inst...