【東芝デバイス＆ストレージ】信頼性と短絡耐久性を維持したSBD内蔵SiC MOSFETのオン抵抗低減に成功

2024年06月03日18時03分 / 提供：Digital PR Platform

深さの異なるバリア構造の採用が消費電力低減に貢献

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