【東芝デバイス＆ストレージ】SiCトレンチMOSFETとスーパージャンクションショットキーバリアダイオードの損失低減を可能にする技術を開発

２０２５－６－９
東芝デバイス＆ストレージ株式会社

SiCトレンチMOSFETとスーパージャンクションショットキーバリアダイオードの