【青山学院大学】小幡玲二さん（2023年度 理工学研究科 博士前期課程修了）の研究成果が著名なドイツ学術誌「Advanced Materials」に掲載 ～新奇原子層磁性体「Fe₃GeTe₂」の物性解明と次世代素子応用への道を拓く～

小幡玲二さん（2023年度 理工学研究科 理工学専攻 機能物質創成コース 博士前期課程修了、当時春山純志教授研究室所属）の研究成果が、2025年1月5日（日）、ドイツ学術誌「Advanced Materials」に掲載された。

■研究概要
原子数層の薄さをもつ新奇原子層磁性体「Fe₃GeTe₂」*¹をスコッチテープによるバルク結晶の機械剥離で形成し、2個の破片を回転させながら直接積層すると、回転角度に応じて破片間で電子のスピン*²が相互作用する磁気トンネル接合*³抵抗特性が疑似的に現れることを発見したものである。トンネル接合を意図的に形成しなくとも、破片間の格子不整合が誘起するファンデルワールスギャップが、このトンネルバリア層の働きをして出現するものだと考えられる。これにより将来、次世代磁気メモリ素子などが原子層磁性体の直接回転積層のみで創成できる道が大きく開かれた。