キオクシア：NEDO公募「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発」における「革新メモリの製造技術開発」の採択について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、NEDO（国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）が公募した「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発」において、「革新メモリの製造技術開発（助成）」に対し提案し採択されたことをお知らせします。 ポスト5G情報通信システム時代においては、AIの普及などにより生成されるデータが極めて大量になり、データセンターのデータ処理量が増加し電力消費量が増大することが予想されています。そのため、データセンターで使われるメモリには高性能化したプロセッサとの高速データ転送、大容量化、消費電力の抑制が求められています。 本研究開発テーマでは、近年登場したCXL™（Compute Express Link™）インターフェース向けメモリの研究開発に取り組みます。DRAMよりも低消費電力・高ビット密度で、フラッシュメモリよりも読み出し速度の速いメモリを開発することで、メモリの利用効率の改善と低消費電力化に寄与することを目指します。 詳細につきましては、NEDOのウェブサイトをご