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高品質単結晶によりIGZOの本質的な電子状態を解明 ~次世代ディスプレイの性能向上に新たな指針を提供~

2025年07月10日04時40分 / 提供:PR TIMES

【研究の要旨とポイント】
光フローティングゾーン法により作製された高品質なInGaZnO4(IGZO)単結晶に対して、硬X線光電子分光(HAXPES)実験を行い、バルク固有の電子状態を明らかにしました。

これまで結晶中にランダムに存在すると考えられていた酸素欠陥について、In原子の周囲に優先的に形成されていることを発見しました。

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