r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功

～r-GeO2パワーデバイスの製造技術の確立に大きく前進～

Patentix 株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）に、イオン注入プロセスによって絶縁性のr-GeO2結晶膜にn型の導電性を付与すること成功しました。イオン注入プロセスはドーピングの濃度・位置・深さ精度が高く、パワーMOSFETなどの複雑なパワーデバイスの作製が容易になると期待されます。

【背景】