AMAT、EUVダブルパターニングに代わる新たな低コストパターニング技術を発表

Applied Materials(AMAT)は2月28日、高性能トランジスタや配線形成に必要とするEUV露光のダブルパターニング工程を1回に削減できる新たな回路パターン形成技術を搭載したパターニング装置「Centura Sculpta」を発表した。

先端プロセスでは、EUVの解像度限界を超える微細回路を形成する際に、ダブルパターニングを採用しているが、そのためには2枚のマスクを作成し、分割された2枚のパターンを中間パターニング膜に合成し、これをウェハにエッチングするという複雑な工程が必要とされており、工程数の増加、製造時間や消費エネルギー、材料の増大といった課題があった。