京セラ、SPIE Photonics West 2023でGaN系マイクロ光源の独自プロセスを発表

京セラが短共振レーザーやマイクロLEDの製造工程を大きく変える可能性を持つ技術を世界最大の光学・フォトニクスの国際会議「SPIE Photonics West 2023」(1月28日から2月2日に米サンフランシスコにて開催)で発表した。

会議最終日の最終講演で2件の講演を行い、1件目(論文番号12421-82)はGaN系マイクロ光源を製造するためのプラットフォームとなる技術で、これまでサファイア基板を用いていた工程をSi基板でも可能にする技術である。2件目(論文番号12421-83)は、この技術を応用して作成した共振器長100μmの微小サイズの端面発光型レーザーダイオードを試作した内容である。これによって、ARグラスに用いる際に重要な低消費電力の微小出力を有する光源を作ることが可能になる。