北大など、簡便な手法で光機能性ナノワイヤのウェハ上への大容量集積に成功

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北海道大学(北大)、東京大学(東大)、愛媛大学は2月7日、発光・受光機能に優れたGaAs系半導体ナノワイヤを、2インチ(50mm)Si(111)ウェハ上で約7億本、前処理や後加工などが不要な単一の分子線エピタキシー法を用いて大量合成することに成功したと発表した。