FLOSFIA、JBS構造を適用した酸化ガリウムでジャンクションバリア効果を実証

京都大学(京大)発ベンチャーであるFLOSFIAは1月18日、次世代パワー半導体「酸化ガリウム(Ga2O3)」とウルトラワイドバンドギャップP型半導体「酸化イリジウムガリウム」を組み合わせた構造によるジャンクションバリア効果実証に成功したことを発表した。

酸化ガリウムはSiCやGaNに続く次世代のワイドバンドギャップ半導体として実用化が期待されている。しかし、酸化ガリウムはP型層の形成が難しく、その物性を最大限に引き出すことができていないという課題があった。同社では、2016年にコランダム構造を有するP型半導体「酸化イリジウム(α-Ir2O3)」を発見して以降、新規P型半導体層のデバイス実証を進めてきたという。