STとSoitec、SiCウェハ製造技術で協力

STMicroelectronicsとSoitecは、SiCウェハ製造技術において協力することで合意したと発表した。

この協力関係によりSTは、SoitecのSmartSiC技術を将来的な200mmウェハ製造に採用し、中期的な量産を行うことによるデバイスおよびモジュールの増産を目指すこととなり、まずSTでは、SoitecのSiCウェハ製造技術の認証作業を今後18か月間で実施する予定だとしている。