キヤノン、次世代後工程向けに0.8μmの解像力を提供するi線半導体露光装置を発表

キヤノンは12月6日、3D IC(3次元集積化技術)をはじめとする次世代後工程向けi線露光装置(ステッパー)「FPA-5520iV LF2オプション」を開発、1月上旬より受注を開始する予定であることを発表した。

同製品は、2021年に発売された後工程向けi線ステッパー「FPA-5520iV LFオプション」の性能を向上させたもの。最大の特徴は、投影光学系に前工程の露光装置で活用されている非球面レンズを適用することで歪曲収差を前世代比1/4以下に低減。これにより、より滑らかなショットのつなぎ合わせを可能としたとする。