名大など、UV-C帯域274nmの深紫外半導体レーザーの室温連続発振に成功

名古屋大学(名大)と旭化成は11月25日、より実用性のある直流電源による、UV-C帯域の274nmの深紫外半導体レーザーの室温連続発振に成功したと発表した。

同成果は、名大 未来材料・システム研究所の天野浩教授、旭化成の共同研究チームによるもの。詳細は、米国物理学協会が刊行する応用物理学全般を扱う学術誌「Applied Physics Letters」に受理され、そちらでの公開に先駆け、名大 学術機関リポジトリで2件(論文1、論文2)公開された。