IEDM2022プレビュー 第3回 超高電圧SiCデバイスとGaN HEMTの高効率冷却技術
2022年11月18日07時20分 / 提供：マイナビニュース
パワーエレクトロニクス用途の超高電圧スーパージャンクションSiC デバイス
Paper #9.1, “Scalable Ultrahigh Voltage SiC Superjunction Device Technologies for Power Electronics Applications,” R. Ghandi et al, GE/RPI
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