Navitasと中VREMTが次世代車載パワー半導体研究所を共同で設立

GaN/SiCパワー半導体サプライヤの米Navitas Semiconductorと中国のViridi E-Mobility Technology(VREMT)は、NavitasのGaNおよびSiCパワーMOSFETおよびダイオードを使用した電気自動車(EV)向けパワーシステムの開発加速に向けた次世代パワー半導体研究所を中国浙江省寧波に開設したと発表した。

VREMTは、最重要顧客であるZEEKRのほか、Volvo、Polestar、Lotusなどへの電動パワートレインサプライヤとして知られている。今回の協業は、GaNならびにSiCを活用することで、従来のSi半導体よりもシステムの小型化と低価格化、ならびに高効率化を実現できるようになるため、さらなるEVの普及を促進させるものになるという。