住友電工、ビヨンド5G向けにHfゲート絶縁膜採用のN極性GaN HEMTを発表 - BCICTS 2022

米国アリゾナ州フェニックスで2022年10月16-19日に開催された「2022年 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium(BCICTS 2022)」において、住友電気工業(住友電工)が、N極性GaN HEMTを開発したことを報告した。

GaN HEMTのゲート絶縁層にハフニウム(Hf)系の高耐熱・高誘電体材料を用いて、ポスト5G時代の無線通信をターゲットに、さらなる大容量化と高速通信向けデバイスを実現したという。