Innoscience、200mm GaN-on-Siウェハ採用650V GaN HEMTファミリを拡充

中国のGaN on SiデバイスメーカーであるInnoscienceは、GaNデバイス用としては現時点で最大口径となる200mm(8インチ)のGaN-on-Siウェハを用いた650Vのエンハンスメントモード(Eモード)GaN HEMTファミリ「650V InnoGaN」を拡充させたことを明らかにした。

これにより同製品群は、ON抵抗が140mΩから600mΩまでの6製品となり、これらはすべてJEDEC認証を取得しているとするほか、定格電圧の80％(520V、150℃、故障率0.01％)で36年の寿命計算を与える加速寿命試験をクリア済みだとしている。