東大など、次世代半導体製造に向けた6μm以下のレーザー穴あけ加工技術を開発

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東京大学(東大)、味の素ファインテクノ、三菱電機、スペクトロニクスの4者は10月24日、現在用いられている回路基板の穴径約40μmに対し、次世代の半導体製造工程に必要な、パッケージ基板への6μm以下という微細レーザー穴あけ加工技術を開発したことを発表した。