サムコ、SiC/GaNパワー半導体などの研究開発用プラズマALD装置を発表

半導体製造装置メーカーのサムコは、SiCやGaNを材料とした次世代パワー半導体デバイスにおけるゲート酸化膜形成の研究開発向けとして100～200mmウェハ対応枚葉式プラズマALD(原子層堆積)装置「AD-800LP」を開発、販売を開始したことを発表した。

同装置は、従来の熱による成膜だけでなく、プラズマ生成機構を追加することでさまざまな条件での多様な成膜を可能とした多目的に使える研究開発装置という位置づけ。2015年に販売を開始した熱ALD装置を改良して、自社開発した独自のトルネードICP方式を採用することでプラズマ生成を可能にしたという。