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キオクシア:横浜テクノロジーキャンパス技術開発新棟と新子安研究拠点の新設について

2021年05月13日15時30分 / 提供:ビジネスワイヤ

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、フラッシュメモリ、SSDの研究・技術開発を強化し、新たな価値を提供する「記憶」技術の創造を目指し、横浜テクノロジーキャンパス(横浜市栄区)に技術開発新棟(仮称)を建設し、横浜市神奈川区にクリーンルームを備えた研究開発拠点(新子安研究拠点(仮称))を新設します。技術開発新棟の建設と新子安研究拠点の整備で約200億円を投資し、稼働は2023年の予定です。両施設の稼働に伴い、横浜市川崎市内に分散していた部門を集結させ、効率を高め、コラボレーションの活性化によるイノベーションの創出につながる働きやすい環境を整備することで、研究・技術開発を強化します。 横浜テクノロジーキャンパスでは、技術開発新棟の建設により、スペースを約2倍に拡張します。製品評価機能をさらに拡充することで、品質力の強化を図るほか、将来の人員増強にも対応し製品開発を強化します。また、技術開発新棟は高効率な省エネルギー設備を備えた環境に配慮した設計を採用します。 新子安研究拠点では、先端研究用のクリーンルームを構築し、材料や新プロセスを中

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