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東大など、多様なトポロジカル相を持つトポロジカル・ディラック半金属を開発

2021年10月18日20時13分 / 提供:マイナビニュース

東京大学、福島工業高等専門学校(福島高専)、科学技術振興機構の3者は10月15日、高品質なα-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族半導体のインジウムアンチモン基板上に結晶成長させることに成功し、α-Sn薄膜のさまざまなトポロジカル物性を明らかにしたと発表した。

同成果は、東大大学院 工学系研究科 附属総合研究機構のレ・デゥック・アイン助教、同・電気系工学専攻の高瀬健吾大学院生、同・瀧口耕介大学院生、同・田中雅明教授、福島高専の千葉貴裕講師、同・小田洋平准教授らの共同研究チームによるもの。詳細は、機能性材料の化学および物理学を扱う学術誌「Advanced Materials」に掲載された。

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