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SiC基板の欠陥を無害化する表面制御技術を関西学院大が開発

2021年03月05日07時00分 / 提供:マイナビニュース

関西学院大学と豊田通商は3月1日、SiC基板に生じる半導体性能を劣化させる欠陥を無害化する表面ナノ制御プロセス技術「Dynamic AGE-ing」を開発したことを発表した。

次世代パワー半導体として活用が期待されるSiCだが、結晶中の歪みがウェハを機械加工する段階ならびに結晶成長の段階で発生することが知られていた。その中でも、基板面転移(Basal Plane Dislocation:BPD)は、デバイスの性能を劣化させることが知られており、その発生を抑えた高品質ウェハを製造するのにコストがかかってしまっているために、デバイスの価格を抑えることが難しかった。

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