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FD-SOIをより高速かつ低消費電力化する技術をCEA-LetiらがISSCC 2021で発表

2021年03月03日20時31分 / 提供:マイナビニュース

フランス原子力・代替エネルギー庁 電子情報技術研究所(CEA-Leti)は、半導体設計会社である仏Dolphin Designと協業し、FD-SOIの動作周波数を450%向上させつつも、消費電力を30%削減させることに成功したことを2月13日~22日にかけてオンラインで開催された「国際固体素子回路会議(ISSCC 2021:International Solid-State Circuits Conference 2021)」にて発表した。

FD-SOIは、バックゲートとして機能するトランジスタ本体のバイアス(ボディバイアス)を可能にする技術で、これによってしきい値電圧を制御することが可能となり、プロセス、電圧、および温度(PVT)の変動を補償することができる。これにより、例えばスイッチ操作では、スイッチがオンのときに、ボディバイアスの印加によりしきい値電圧を下げて、より多くの電流を流すことでオン抵抗を減らすことができるようになる。また、オフ状態では、ボディバイアスによりしきい値電圧を上げることでオフ抵抗を上げ、その結果、リーク電流を減らすことができるようになる。

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