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SK HynixのDRAM製造棟「M16」が完成、21年下期よりEUV採用の1a-nm品を生産

2021年02月04日13時52分 / 提供:マイナビニュース

SK Hynixは2月1日、EUVリソグラフィを採用する新たなDRAM製造棟「M16」の完成式典を開催したことを明らかにした。

M16は2018年7月に建設が発表され、同年12月に起工式を実施。その後、2020年12月にクリーンルームが完成し、装置搬入の準備を進め、今回の完成式典に至ったという。

主に先端DRAM製品の製造拠点となるM16は、延べ床面積5万7000m2。奥行き336m、幅163m、高さ105mと同社の生産拠点の中でも最大級の建物となるという。
さらに新たな試みとして、同社として初めてEUV露光装置を生産ラインに導入。次世代の成長拠点として位置づけており、2021年下半期より10nm級プロセスの第4世代となる1a-nmプロセスを採用したDRAMの生産を開始する予定としている。同社では、将来的にはEUVの利用率を高め、半導体メモリの技術リーダーとなるべく、体制強化を図っていくとしている。

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