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名大、GaN結晶に格子整合する新たな窒化物半導体「AIPN」の合成に成功

2020年11月05日17時52分 / 提供:マイナビニュース

名古屋大学(名大)は11月2日、「窒化ガリウム(GaN)結晶」に格子整合する新たな窒化物半導体「AIPN」の合成に成功したと発表した。

同成果は、名大未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センターのMarkus Pristovsek特任教授らの研究チームによるもの。詳細は、物理系学術誌刊行センターの科学誌「Applied Physics Express」にオンライン掲載された。

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