名大、GaN結晶に格子整合する新たな窒化物半導体「AIPN」の合成に成功

名古屋大学(名大)は11月2日、「窒化ガリウム(GaN)結晶」に格子整合する新たな窒化物半導体「AIPN」の合成に成功したと発表した。

同成果は、名大未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センターのMarkus Pristovsek特任教授らの研究チームによるもの。詳細は、物理系学術誌刊行センターの科学誌「Applied Physics Express」にオンライン掲載された。