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imec、5G以降向けRFフロントエンドモジュール用ミリ波III-Vデバイスを開発

2020年01月14日07時05分 / 提供:マイナビニュース

ベルギーの独立系研究機関imecは、300mm Si基板上にGaAsヘテロジャンクション・バイポーラ―トランジスタ(HBT)デバイスを、そして200mm Si基板上にCMOS互換GaN系デバイスを形成することに成功し、2020年1月10-13日に米国ラスベガスで開催された米IEEE Consumer Communications & Networking Conference(CNCC)2020の基調講演で紹介した。いずれも5Gおよびそれ以降の次世代通信(6G)向けのミリ波用RFフロントエンドモジュールに使うために開発された。

5Gワイヤレス通信では、サブ6GHz帯域からミリ波帯域(およびそれ以上)に向けて、より高い動作周波数への移行が進んでいる。これらのミリ波帯域の導入は、5Gネットワークインフラストラクチャ全体とモバイルデバイスに大きな影響を及ぼしている。

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