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Lam、次世代メモリへの道を開く低フッ素タングステンALDプロセスを開発

2016年08月10日14時29分 / 提供:マイナビニュース

Lam Researchは8月9日(米国時間)、タングステン成膜ソリューション「ALTUSシリーズ」の最新ラインアップとしてフッ素濃度の低いタングステン膜の生成を実現するALDプロセス装置「ALTUS Max E シリーズ」を発表した。

3D NANDのメモリセル層の積層数が増えるにつれ、ワードラインのタングステン埋め込みには、タングステン膜から絶縁膜に拡散するフッ素が物理的な欠陥を発生させること、ならびに48層を超すデバイスでは蓄積ストレスによる過度なウェハのボーイングが生じるという課題が生じており、タングステン膜のフッ素量や内在応力の低減が求められていた。

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