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グラフェン自己組織化による量子ドットパターニングに成功 - DTU、IBMなど

2017年07月18日17時00分 / 提供:マイナビニュース

デンマーク工科大学(DTU)、オーフス大学、IBM、米ブルックヘブン国立研究所(BNL)などの研究チームは、グラフェンの自己組織化現象を利用して、微細な量子ドットのパターンを基板上に形成することに成功したと発表した。シリコン半導体の微細化限界を超える大容量メモリなどへの応用が期待される。研究論文は科学誌「Nature Communications」に掲載された。

今回の研究では、結晶方位(111)に揃ったイリジウム基板の表面にホウ素-炭素-窒素(BCN)で構成された単層二次元合金薄膜を形成した。そして、このプロセスにおいて材料ガスに含まれる炭素の構成比を上げていくと、点状のグラフェン(グラフェン量子ドット)が薄膜中に埋め込まれた状態で現れることを明らかにした。

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